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弯道超车将要实现?中芯国际联合北京,美国芯片行业或面临大洗牌

让国产尖端芯片形成从设计到制造的产业链闭环已经成了迫在眉睫的事情,在美国的重重制裁下,国内半导体暴露出了很多的不足:不能实现先进制程的芯片制造就是其中最难突破的一点。

华为之所以现在阻力这么大,就是因为负责海思芯片制造的台积电在美国的胁迫下终止了与华为的合作,没有芯片的供应会让任何一家硬件公司都面临巨大的挑战,毕竟华为海思目前只能完成芯片的设计。

所以最近也报道了很多和华为芯片相关的传闻,包括华为未来预计在Mate40系列上使用“双芯片”方案、华为正在招募芯片生产中最重要的光刻机设计人才,组建光刻机自研团队等。

但说来说去,最重要的还是要将国内半导体产业链发展起来,否则只凭华为一家的努力,结果和进展速度是远远不够看的。特别是在芯片代工制造上,因为国内拥有很多能够自主设计芯片的公司,但缺失能够完成先进制造的代工厂。

目前国内最大、技术最强的芯片代工厂就是我们熟悉的中芯国际,前段时间中芯国际在科创板上市,获得了巨额的资金支持,进一步加速了制造技术的提升。不过为了更快地实现芯片领域的弯道超车,北京与中芯国际也开始合作。

7月31日据中芯国际传来的消息,该公司与北京开发区管委会订立了合作框架文件。根据合作框架协议,中芯国际与北京开发区管委会有意就发展及营运半导体集成电路项目共同成立合资企业。

这个项目主要聚焦于制造28nm及以上工艺制程的半导体集成电路,达到合作目的就能每月生产约10万片12寸晶圆的产能。在项目进展的过程中,估计投资额达76亿美元,注册资本同样达到了50亿美元。

与此同时,北京开发区管委会会推动其他第三方投资者完成项目49%的出资,减轻中芯国际方面的资金投入压力。

所谓众人拾柴火焰高,在美国的压迫封锁之下,国内半导体行业必须要找出一条高效的发展之路,中芯国际和北京开发区建立合资企业的背后代表的正是一条国家引导的新发展路线,一起整合国内资源,优势互补实现佳绩。

而且规划合作的是28nm及以上制程的芯片,这部分芯片几乎都算尖端制程,虽然大家耳闻台积电、三星这些企业已经突破了3nm,但我们要清楚一点就是目前市面上的绝大部分微电子芯片28nm已经够用。

随着国内5G发展过后释放的5G红利建立工业互联网,在光刻机技术、制造和引进上完成突破,假以时日中国半导体必然会腾飞,彼时美国芯片行业都会接受来自中国科技的大洗牌。

我们要认识到自己的不足,也应该明白高端芯片制造业的成功不是一蹴而就的,但我们有理由相信:只要国家重视起来,科研人员培养起来,芯片制造肯定会成功,华为现在面临的窘境也会破壁。

毕竟,美国封锁什么我们就能造出什么,而且还会造得更好。

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